IPD90P04P405ATMA2厂家价格_数据手册

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	IPD90P04P405ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.247161 +10：￥26.039321 +30：￥20.83136 +100：￥17.359507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 154 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD90P04P405ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.576049 +10：￥17.887941 +30：￥16.205141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 154 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD90P04P405ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 154 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD90P04P405ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.148242 +5000：￥6.879513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 154 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD90P04P405ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥17.486493 +5000：￥16.829112	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 154 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD90P04P405ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.858534 +10：￥32.218926 +100：￥25.637453 +500：￥21.693772 +1000：￥18.40686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313
IPD90P04P405ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.858534 +10：￥32.218926 +100：￥25.637453 +500：￥21.693772 +1000：￥18.40686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313

Mouser

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	IPD90P04P405ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥42.120549 +10：￥33.829103 +100：￥27.859261 +500：￥23.547708 +1000：￥20.0653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 154 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥18.217308	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD90P04P405ATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS®-P2
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.7 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	154 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-313
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）