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自营现货库存

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	IDH02G120C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥15.462087 +200：￥5.988144 +500：￥5.769599 +1000：￥5.671253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： 175°C (Max) 温度：

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	IDH02G120C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥19.725783	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： 175°C (Max) 温度：

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	IDH02G120C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： 175°C (Max) 温度：

自营国内现货

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	IDH02G120C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥19.987271 +50：￥15.82384 +100：￥13.563876 +500：￥12.056532 +1000：￥10.323425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： 175°C (Max) 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDH02G120C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥48.89416 +50：￥38.709305 +100：￥33.180834 +500：￥29.493472 +1000：￥25.253833	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： 175°C (Max) 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDH02G120C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥57.037133 +10：￥47.885042 +100：￥38.732954 +250：￥37.58894 +500：￥34.320338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： 175°C (Max) 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDH02G120C5XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Diode Schottky 1.2KV 11.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥27.174562 +1000：￥24.396232 +2000：￥23.912368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDH02G120C5XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Diode Schottky 1.2KV 11.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+7：￥49.119689 +10：￥43.100118 +50：￥39.006812 +100：￥35.033423 +200：￥34.793586	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IDH02G120C5XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Diode Schottky 1.2KV 11.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥19.407094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDH02G120C5XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥19.338464 +10：￥17.41974 +100：￥16.143741 +250：￥15.850736 +500：￥14.896098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IDH02G120C5XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™+
零件状态:	Active
二极管类型:	Silicon Carbide Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1200 V
电流 - 平均整流 (Io):	2A (DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.65 V 2 A
速度:	No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr):	0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	18 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容:	182pF 1V, 1MHz
安装类型:	Through Hole
封装/外壳:	TO-220-2
供应商器件封装:	PG-TO220-2-1
工作温度 - 结:	175°C (Max)
温度: