IRFS4229TRLPBF厂家价格_数据手册

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	IRFS4229TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥47.514038 +100：￥32.131792 +400：￥23.586046 +800：￥17.091371 +1600：￥16.236748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS4229TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥22.33969 +10：￥19.514407 +30：￥17.833941 +100：￥16.13247 +500：￥15.344752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -40°C # 175°C（TJ）

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	IRFS4229TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.372044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -40°C # 175°C（TJ）

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	IRFS4229TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 下载数据手册未分类	+100：￥28.331251 +500：￥27.62297 +1000：￥26.914689 +3000：￥26.631377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS4229TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥17.921461 +1600：￥15.114476 +2400：￥14.358785	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS4229TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥43.840642 +1600：￥36.974013 +2400：￥35.125391	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFS4229TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.059116 +10：￥65.594092 +100：￥53.738891	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IRFS4229TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.059116 +10：￥65.594092 +100：￥53.738891	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS4229TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥75.55372 +10：￥67.71852 +100：￥55.68589 +250：￥55.406061 +500：￥44.772574	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -40°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS4229TRLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥68.209501 +10：￥60.784226 +25：￥56.625569 +100：￥43.094231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFS4229TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	48 毫欧 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4560 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	330W（Tc）
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-40°C # 175°C（TJ）