IPDD60R050G7XTMA1厂家价格_数据手册

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	IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥74.690759 +200：￥62.2424 +500：￥49.79392 +1000：￥41.494893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1 封装/外壳： 10-PowerSOP 模块温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.168108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1 封装/外壳： 10-PowerSOP 模块温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1700：￥35.122751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1 封装/外壳： 10-PowerSOP 模块温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1700：￥85.919554	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1 封装/外壳： 10-PowerSOP 模块温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥151.448432 +10：￥129.831311 +100：￥108.195619 +500：￥95.466234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ G7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 10-PowerSOP Module 供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1
IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥151.448432 +10：￥129.831311 +100：￥108.195619 +500：￥95.466234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ G7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 10-PowerSOP Module 供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1

Mouser

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	IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管	+1：￥134.256106 +10：￥120.373176 +25：￥119.883189 +100：￥106.653574 +250：￥106.490245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1 封装/外壳： 10-PowerSOP 模块温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPDD60R050G7XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ G7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 15.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	68 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2670 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	278W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HDSOP-10-1
封装/外壳:	10-PowerSOP 模块
温度:	-55°C # 150°C（TJ）