品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 45mOhm @ 3.9A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-223

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 14 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 530 pF @ 25 V