IAUZ18N10S5L420ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUZ18N10S5L420ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.210679 +200：￥3.509 +500：￥2.8072 +1000：￥2.339293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IAUZ18N10S5L420ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥6.670783 +10000：￥6.362906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUZ18N10S5L420ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32 下载数据手册未分类	+1：￥16.959246 +10：￥13.857299 +100：￥10.775644 +500：￥9.133643 +1000：￥7.44047	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 42mOhm @ 9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 8µA Supplier Device Package： PG-TSDSON-8-32 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 470 pF @ 50 V
IAUZ18N10S5L420ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32 下载数据手册未分类	+1：￥16.959246 +10：￥13.857299 +100：￥10.775644 +500：￥9.133643 +1000：￥7.44047	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 42mOhm @ 9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 8µA Supplier Device Package： PG-TSDSON-8-32 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 470 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUZ18N10S5L420ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32 下载数据手册未分类	+5000：￥8.550113	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUZ18N10S5L420ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 18A Automotive Tube 下载数据手册未分类	+5000：￥9.068984 +10000：￥8.989024 +15000：￥8.910354 +20000：￥8.830394 +25000：￥8.750435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥513.536435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUZ18N10S5L420ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	42 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	470 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TSDSON-8-32
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）