IPB020N10N5ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB020N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB020N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥49.900324	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB020N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥98.064252 +10：￥69.28752 +100：￥52.313684 +500：￥49.900478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB020N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥98.064252 +10：￥69.28752 +100：￥52.313684 +500：￥49.900478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB020N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥112.763674 +10：￥82.582809 +25：￥80.095374 +100：￥61.688363 +500：￥54.226061	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥49.188277	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB020N10N5ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥35.983477	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPB020N10N5ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+4：￥90.781264 +10：￥81.180142 +50：￥70.120694 +100：￥66.47488 +200：￥63.680231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB020N10N5ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥48.259013 +10：￥32.685387 +100：￥32.108587 +200：￥32.012454 +500：￥31.91632	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPB020N10N5ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 11 下载数据手册未分类	+1000：￥31.051118	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB020N10N5ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	210 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15600 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）