IXTP75N10P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP75N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥36.582672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IXTP75N10P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IXTP75N10P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.762429 +1000：￥3.569444 +2950：￥3.473003 +4600：￥3.376563 +6600：￥3.247871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP75N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.68137 +10：￥26.650566 +100：￥21.833753 +500：￥18.586577 +1000：￥15.67541	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP75N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.269286 +50：￥42.37416 +100：￥39.045177 +500：￥34.167667	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP75N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥75.452165 +10：￥58.537614 +50：￥45.105469 +100：￥39.964773 +250：￥38.80397	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP75N10P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥60.997797 +10：￥60.394165 +25：￥59.790534 +50：￥39.90163 +100：￥33.741486	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP75N10P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds 下载数据手册未分类	+50：￥25.891492 +100：￥23.128368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP75N10P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥38.412406 +10：￥38.032278 +25：￥37.65215 +50：￥25.127426 +100：￥21.248172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP75N10P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 75 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IXTP75N10P 下载数据手册未分类	+1：￥38.811177 +13：￥37.633943 +25：￥36.519326	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXTP75N10P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 75 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IXTP75N10P 下载数据手册未分类	+50：￥34.436623 +100：￥33.403412 +200：￥32.40151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTP75N10P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	74 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	360W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）