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	IRFB4019PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.9392 +10：￥11.84832 +50：￥9.75744 +100：￥8.712 +500：￥8.01504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFB4019PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥14.226667 +10：￥11.850251 +30：￥10.131593 +100：￥8.709988 +500：￥8.465981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB4019PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.2296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFB4019PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.629842 +50：￥8.552935 +100：￥7.037306 +500：￥5.954814 +1000：￥5.052622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFB4019PBF International 授权代理品牌	IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	+1：￥10.629842 +50：￥8.552935 +100：￥7.037306 +500：￥5.954814 +1000：￥5.052622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.9V @ 50µA Supplier Device Package： TO-220AB Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 800 pF @ 50 V

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB4019PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.00341 +50：￥20.922744 +100：￥17.215115 +500：￥14.567053 +1000：￥12.36005	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFB4019PBF International 授权代理品牌	IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.9V @ 50µA Supplier Device Package： TO-220AB Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 800 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB4019PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB 下载数据手册	+1：￥29.725805 +10：￥24.009303 +100：￥19.599431 +250：￥18.619459 +500：￥15.973538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB4019PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥27.695833 +10：￥22.295498 +100：￥18.113434 +250：￥17.055829 +500：￥14.527249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB4019PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+9：￥10.871132 +10：￥9.809401 +100：￥8.79223 +250：￥8.500641 +500：￥7.737279	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFB4019PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	95 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	800 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	80W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）