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Digi-Key
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IXFA36N20X3_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥65.899057

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¥59.203076

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¥48.506745

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¥41.292588

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¥34.825068

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X3

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1425 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 176W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(IXFA)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFA36N20X3_未分类
IXFA36N20X3
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA

未分类

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品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X3

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1425 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 176W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(IXFA)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXFA36N20X3_未分类
IXFA36N20X3
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

未分类

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¥29.927248

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¥26.937036

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暂无参数

IXFA36N20X3参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Ultra X3
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1425 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 176W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(IXFA)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)