IPA50R250CPXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA50R250CPXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.056921 +10：￥61.3712 +30：￥51.142707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPA50R250CPXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.34879 +10：￥36.497082 +30：￥33.524864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA50R250CPXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.343188	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA50R250CPXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA50R250CPXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPA50R250CPXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP 下载数据手册未分类	+193：￥23.865871	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 250mOhm @ 7.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 520µA Supplier Device Package： PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1420 pF @ 100 V

Mouser

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	IPA50R250CPXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPA50R250CPXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥30.426269 +1000：￥29.869429 +2000：￥29.683816 +2500：￥29.498203 +3000：￥29.31259	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
IPA50R250CPXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥47.865167 +10：￥42.722628 +25：￥39.747868 +50：￥36.962987 +100：￥34.067342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
IPA50R250CPXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥28.514653 +10：￥26.44992	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA50R250CPXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 520µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1420 pF 100 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	33W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-31
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）