IAUT260N10S5N019ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥78.291961 +10：￥65.243321 +30：￥52.19456 +100：￥43.495507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.890154 +10：￥34.388119 +30：￥31.634447 +100：￥29.328793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.804322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥63.251196 +10：￥56.781894 +100：￥46.606188 +250：￥46.511827 +500：￥39.678573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+16：￥62.398372 +100：￥51.216093 +250：￥51.112527 +500：￥43.603273 +20000：￥38.715804	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2：￥61.574387 +500：￥57.175787 +1000：￥55.466338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥25.080217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥37.699901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥14.041379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IAUT260N10S5N019ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.9 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	166 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11830 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥63.251196 +10：￥56.781894 +100：￥46.606188 +250：￥46.511827 +500：￥39.678573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+16：￥62.398372 +100：￥51.216093 +250：￥51.112527 +500：￥43.603273 +20000：￥38.715804	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2：￥61.574387 +500：￥57.175787 +1000：￥55.466338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥25.080217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥37.699901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11830 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）