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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP24N65X2M IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220 下载数据手册未分类	+10：￥35.868204 +100：￥29.386821 +500：￥25.016889 +1000：￥21.101113 +2000：￥20.548642	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 145 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2060 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 隔离的标片封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP24N65X2M IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥37.188296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 145 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2060 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 隔离的标片封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP24N65X2M IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥78.105691 +10：￥65.502649 +50：￥55.552881 +100：￥52.899609 +250：￥40.462397	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 145 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2060 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 隔离的标片封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP24N65X2M Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 下载数据手册未分类	+300：￥45.938096 +500：￥43.074702 +1000：￥42.672279 +2000：￥42.269858 +2500：￥41.867435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP24N65X2M Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 24A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥39.396779 +10：￥32.018957 +100：￥25.987356 +500：￥24.192394	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP24N65X2M Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥42.527465 +10：￥34.566044 +100：￥28.052155 +500：￥25.157093 +1000：￥24.732816	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTP24N65X2M参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	145 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2060 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	37W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220 隔离的标片
封装/外壳:	TO-220-3 全封装，隔离接片
温度:	-55°C # 150°C（TJ）