IPD95R2K0P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.42776 +10：￥12.95184 +30：￥10.7932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.135198 +10：￥7.747434 +30：￥6.982526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.057139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.05113 +5000：￥2.905865 +12500：￥2.771736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.463871 +5000：￥7.108516 +12500：￥6.7804	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.108305 +10：￥14.765233 +100：￥11.482524 +500：￥9.73329 +1000：￥7.928653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.108305 +10：￥14.765233 +100：￥11.482524 +500：￥9.73329 +1000：￥7.928653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥18.946117 +10：￥15.450885 +100：￥12.200646 +500：￥10.338701 +1000：￥8.427756	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPD95R2K0P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	330 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	37W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）