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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP450P2 授权代理品牌	N沟道耐压:500V 电流:16A 下载数据手册未分类	+1：￥18.936959 +200：￥7.332198 +500：￥7.069944 +1000：￥6.949744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 500V 连续漏极电流(Id)： 16A 功率(Pd)： 300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 330mΩ@8A,10V

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXTP450P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥37.720346	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 330 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXTP450P2 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IXTP450P2 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥8.575263 +1000：￥8.07504 +3000：￥7.860657 +4000：￥7.503355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTP450P2 授权代理品牌	IXTP450P2 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥8.264632 +20：￥7.770211 +100：￥7.699595 +1000：￥7.55825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP450P2 Zilog 授权代理品牌	IXTP450P2 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP450P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.108947 +10：￥24.324785 +100：￥19.929867 +500：￥16.966143 +1000：￥14.30879	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 330 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXTP450P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.315667 +10：￥59.50487 +100：￥48.753735 +500：￥41.503682 +1000：￥35.003093	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 330 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP450P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB 下载数据手册未分类	+300：￥42.50657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 330 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXTP450P2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs PolarP2 Power MOSFET 下载数据手册未分类	+50：￥29.453924 +100：￥28.852824	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTP450P2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PolarP2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	330 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	43 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2530 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）