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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP20N50P3M Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥6.545435 +200：￥2.611618 +500：￥2.524199 +1000：￥2.48049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP20N50P3M IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥35.364557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 58W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFP20N50P3M VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IXFP20N50P3M VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥12.862894 +300：￥12.32694 +900：￥11.790987 +1500：￥11.576605 +2950：￥10.719078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP20N50P3M IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥70.099948 +10：￥63.020272 +100：￥51.628682 +500：￥43.950858 +1000：￥37.066987	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 58W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP20N50P3M IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB 下载数据手册未分类	+300：￥53.231087 +500：￥42.783865	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 58W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFP20N50P3M参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar3™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	300 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	58W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）