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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF710_未分类
IRF710
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥2.892666

+200：

￥1.119499

+500：

￥1.080161

+1000：

￥1.06071

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
IRF710_未分类
IRF710
HARRIS(哈利斯)
授权代理品牌

PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E

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未分类
+1：

￥2.892666

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￥1.119499

+500：

￥1.080161

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￥1.06071

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.6Ohm @ 1.1A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 36W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 400 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 135 pF @ 25 V

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF710_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF710
Vishay(威世)
授权代理品牌
+740：

￥2.293856

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 欧姆 1.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 36W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF710_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF710
Rochester(罗彻斯特电子)
授权代理品牌
+740：

￥5.611379

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

IRF710_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF710
Rochester(罗彻斯特电子)
授权代理品牌
+740：

￥5.946233

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220AB

IRF710_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF710
Vishay(威世)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 欧姆 1.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 36W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRF710
HARRIS(哈利斯)
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PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E

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未分类
+740：

￥5.611379

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.6Ohm @ 1.1A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 36W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 400 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 135 pF @ 25 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF710_未分类
IRF710
Vishay(威世)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

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未分类
1+:

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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 欧姆 1.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 36W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRF710
ON(安森美)
授权代理品牌
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货期：7~10 天

 暂无参数

IRF710参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 欧姆 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 170 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 36W（Tc）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）