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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9020PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 下载数据手册未分类	+1：￥14.751815 +200：￥5.714962 +500：￥5.518271 +1000：￥5.408999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 960mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9020PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.54634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 960mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRFD9020PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.538748 +30：￥11.19308 +50：￥10.856859	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 960mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFD9020PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 960mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9020PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.410516 +10：￥7.808975 +100：￥6.216201 +500：￥5.26007 +1000：￥4.46304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 960mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9020PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.020617 +10：￥19.102823 +100：￥15.206475 +500：￥12.867525 +1000：￥10.917778	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 960mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9020PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 下载数据手册晶体管	+1：￥26.315907 +10：￥20.595057 +100：￥16.835642 +250：￥16.051069 +500：￥14.563647	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 960mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9020PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP 下载数据手册未分类	+2500：￥10.181337 +5000：￥10.115771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9020PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET H 下载数据手册未分类	+50：￥12.168549 +100：￥9.929536 +250：￥9.442793 +500：￥8.566659 +1000：￥7.398479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9020PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.6 A, HVMDIP封装, 通孔安装, 4引脚下载数据手册未分类	+30：￥10.771087 +50：￥10.44759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFD9020PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	280mOhm 960mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	570 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W (Ta)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	4-HVMDIP
封装/外壳:	4-DIP (0.300#, 7.62mm)
温度:	-55°C # 175°C (TJ)