IPB80N06S2L06ATMA2厂家价格_数据手册

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	IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.24224 +200：￥11.0352 +500：￥8.82816 +1000：￥7.3568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 180µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.593524 +200：￥5.266944 +500：￥5.081181 +1000：￥4.982835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 180µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 180µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥21.541689 +2000：￥20.283779 +5000：￥19.460186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 180µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.621493 +10：￥34.97916 +100：￥28.302616 +500：￥25.158198	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2
IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.621493 +10：￥34.97916 +100：￥28.302616 +500：￥25.158198	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

Mouser

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	IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥47.579409 +10：￥40.084023 +25：￥39.43225 +100：￥32.425694 +250：￥31.936863	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 180µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPB80N06S2L06ATMA2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥19.360886	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Single N-Channel 55 V 6.3 mOhm 150 nC OptiMOS Power Mosfet - D2PAK 下载数据手册未分类	+1000：￥13.864146 +2000：￥13.671588 +3000：￥13.479031	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 55V, 80A, TO-263 下载数据手册未分类	+1：￥30.043834 +10：￥27.055183 +100：￥22.191055 +500：￥19.2992 +1000：￥14.42297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB80N06S2L06ATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 毫欧 69A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	150 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）