IAUS300N08S5N012ATMA1厂家价格_数据手册

搜索 IAUS300N08S5N012ATMA1 共 12 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUS300N08S5N012ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.0166 +100：￥30.8308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 231 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16250 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOG-8-1 封装/外壳： 8-PowerSMD，鸥翼温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUS300N08S5N012ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1800：￥18.454615	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 231 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16250 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOG-8-1 封装/外壳： 8-PowerSMD，鸥翼温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IAUS300N08S5N012ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1800：￥45.144877	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 231 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16250 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOG-8-1 封装/外壳： 8-PowerSMD，鸥翼温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUS300N08S5N012ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥87.329372 +10：￥73.319693 +100：￥59.314282 +500：￥52.723901	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSMD, Gull Wing 供应商器件封装： PG-HSOG-8-1
IAUS300N08S5N012ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥87.329372 +10：￥73.319693 +100：￥59.314282 +500：￥52.723901	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSMD, Gull Wing 供应商器件封装： PG-HSOG-8-1

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUS300N08S5N012ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8 下载数据手册未分类	+1：￥99.66756 +10：￥83.733758 +25：￥79.018653 +100：￥67.637365 +250：￥63.8978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 231 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16250 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOG-8-1 封装/外壳： 8-PowerSMD，鸥翼温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUS300N08S5N012ATMA1 授权代理品牌	IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+1800：￥54.213297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+2：￥54.269571 +10：￥45.677634 +25：￥45.221663 +100：￥37.112519 +250：￥36.737013	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+1800：￥33.019502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥57.524338 +10：￥41.921332 +50：￥37.127635 +100：￥34.871779 +200：￥32.897904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUS300N08S5N012ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	231 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	16250 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOG-8-1
封装/外壳:	8-PowerSMD，鸥翼
温度:	-55°C # 175°C（TJ）