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	IRFR7746TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.2944 +10：￥13.00024 +30：￥10.70608 +100：￥9.559 +500：￥8.79428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.2 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3107 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFR7746TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK 下载数据手册	+1：￥6.89585 +10：￥6.089566 +30：￥5.643988 +100：￥5.230237 +500：￥4.965012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.2 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3107 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFR7746TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.702116	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.2 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3107 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFR7746TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.2 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3107 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR7746TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.2 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3107 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR7746TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)
IRFR7746TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)
IRFR7746TRPBF International 授权代理品牌	IRFR7746 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 176-LQFP Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11.2mOhm @ 35A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.7V @ 100µA Supplier Device Package： 176-LQFP (24x24) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3107 pF @ 25 V

Mouser

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	IRFR7746TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.2 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3107 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IRFR7746TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R 下载数据手册未分类	+1：￥18.445805 +10：￥16.100484 +25：￥15.452906 +100：￥14.096896 +250：￥12.768972	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFR7746TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.2 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	89 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3107 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	99W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）