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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF730PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRF730PBF TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥5.507678 +10：￥4.119203 +20：￥3.193553 +50：￥2.314125 +100：￥2.198449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF730PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	N沟道 400V 5.5A 下载数据手册未分类	+1：￥4.130508 +10：￥3.354672 +50：￥2.96129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 400V 连续漏极电流(Id)： 5.5A 功率(Pd)： 74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1Ω@10V,3.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF730PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册	+1：￥3.818276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF730PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.290595	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF730PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.1254 +500：￥2.089977 +1000：￥2.072264 +3000：￥2.036841	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF730PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥3.03483 +100：￥2.982505 +150：￥2.93018 +200：￥2.877856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF730PBF 授权代理品牌	IRF730PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.591488 +10：￥4.238297 +20：￥4.061759 +30：￥3.955721 +50：￥3.849798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF730PBF 授权代理品牌	IRF730PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.709219 +30：￥4.552245 +100：￥4.356027 +1000：￥4.238297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF730PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.616348 +2000：￥2.546891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF730PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.444591 +50：￥5.579708 +100：￥5.006228 +500：￥4.000604 +1000：￥3.962581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF730PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	74W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF730PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.1254 +500：￥2.089977 +1000：￥2.072264 +3000：￥2.036841	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF730PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥3.03483 +100：￥2.982505 +150：￥2.93018 +200：￥2.877856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF730PBF 授权代理品牌	IRF730PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.591488 +10：￥4.238297 +20：￥4.061759 +30：￥3.955721 +50：￥3.849798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF730PBF 授权代理品牌	IRF730PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.709219 +30：￥4.552245 +100：￥4.356027 +1000：￥4.238297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF730PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.616348 +2000：￥2.546891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）