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IPDD60R190G7XTMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ G7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 4.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 210µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 718 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 76W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-HDSOP-10-1

封装/外壳: 10-PowerSOP 模块

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 4.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 210µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 718 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 76W(Tc)

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IPDD60R190G7XTMA1参数规格

属性 参数值
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系列: CoolMOS™ G7
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FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 718 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 76W(Tc)
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