IPB072N15N3GATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.579618 +10：￥16.215948 +30：￥15.943214 +100：￥15.125012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.31268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥21.760678	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥70.582979 +10：￥60.816718 +100：￥49.041232 +500：￥42.324895 +1000：￥35.944398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥9.418437 +3000：￥9.261463 +5000：￥9.104489 +30000：￥8.947515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥24.859768 +2000：￥23.408086	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥42.957595 +2000：￥40.449094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥83.053093 +10：￥69.762112 +100：￥56.440048 +500：￥50.169539	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥83.053093 +10：￥69.762112 +100：￥56.440048 +500：￥50.169539	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

Mouser

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	IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥105.595217 +10：￥88.681012 +25：￥85.993709 +100：￥71.766809 +250：￥71.292579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPB072N15N3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.2 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	93 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5470 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥21.760678	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥70.582979 +10：￥60.816718 +100：￥49.041232 +500：￥42.324895 +1000：￥35.944398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥9.418437 +3000：￥9.261463 +5000：￥9.104489 +30000：￥8.947515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）