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	IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.92824 +100：￥8.516736 +300：￥6.512544 +500：￥5.530032 +1000：￥4.973904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.753362 +10：￥3.933817 +30：￥3.529508 +100：￥3.125199 +500：￥2.611618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.588674	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRFH5301TRPBF 授权代理品牌	IRFH5301TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.081323 +5：￥3.979336 +10：￥3.877233 +30：￥3.775247 +50：￥3.707178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.59308 +10：￥2.546775 +50：￥2.50047 +100：￥2.477318 +1000：￥2.454165	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.631976 +8000：￥2.584977 +12000：￥2.537977 +20000：￥2.514477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.631976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5301TRPBF 授权代理品牌	IRFH5301TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.395271 +50：￥4.175554 +200：￥4.028998 +5000：￥3.992417	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.554889 +8000：￥3.385571 +12000：￥3.22931	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥6.142837 +8000：￥5.850256 +12000：￥5.580238	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH5301TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.85 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	77 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5114 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）单芯片焊盘
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5301TRPBF 授权代理品牌	IRFH5301TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.081323 +5：￥3.979336 +10：￥3.877233 +30：￥3.775247 +50：￥3.707178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.59308 +10：￥2.546775 +50：￥2.50047 +100：￥2.477318 +1000：￥2.454165	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.631976 +8000：￥2.584977 +12000：￥2.537977 +20000：￥2.514477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.631976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.85 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5114 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5301TRPBF 授权代理品牌	IRFH5301TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.395271 +50：￥4.175554 +200：￥4.028998 +5000：￥3.992417	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数