搜索 IRF8304MTRPBF 共 11 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRF8304MTRPBF 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET | +1: ¥13.965051 +200: ¥5.408999 +500: ¥5.212308 +1000: ¥5.12489 |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRF8304MTRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥28.194256 +10: ¥25.201569 +100: ¥20.476274 +500: ¥17.16857 +1000: ¥14.427899 |
艾睿
IRF8304MTRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 28A(Ta),170A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.2 毫欧 28A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.35V 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 42 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4700 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.8W(Ta),100W(Tc) |
工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DirectFET™ 等容 MX |
封装/外壳: | DirectFET™ 等容 MX |
温度: | -40°C # 150°C(TJ) |