IRL40T209ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL40T209ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥23.167589	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.72 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 269 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL40T209ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥40.033517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.72 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 269 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL40T209ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥78.584311 +10：￥70.577608 +25：￥66.722528 +100：￥53.378022 +250：￥50.412577	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
IRL40T209ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL40T209ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.72 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 269 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRL40T209ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.72 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	269 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	16000 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）