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	IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.03824 +5：￥15.336576 +10：￥10.765008 +20：￥8.219952 +50：￥5.791968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥6.479871 +10：￥5.452708 +50：￥4.88449 +100：￥4.250708 +500：￥3.409308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.559466	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥12.257281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.747001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥4.606421 +15000：￥4.529671 +25000：￥4.414488 +35000：￥4.337737	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.028723 +500：￥4.944911 +1000：￥4.903005 +3000：￥4.819193	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.800443 +10：￥12.356044 +100：￥9.633138 +500：￥7.957493 +1000：￥6.980307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.847119 +10：￥21.351203 +100：￥16.646029 +500：￥13.75052 +1000：￥12.061948	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFB7540PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.1 毫欧 65A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	130 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4555 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	160W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥12.257281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.747001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥4.606421 +15000：￥4.529671 +25000：￥4.414488 +35000：￥4.337737	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7540PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.028723 +500：￥4.944911 +1000：￥4.903005 +3000：￥4.819193	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4555 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）