IPB017N10N5ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB017N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥79.860121 +200：￥66.550121 +500：￥53.24 +1000：￥44.366707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 279µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB017N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.4592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 279µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB017N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册未分类	+10：￥84.481871 +100：￥79.851179 +250：￥77.923176 +500：￥76.053158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 279µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB017N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥26.079005 +2000：￥25.197126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 279µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB017N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥63.796155 +2000：￥61.638845	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 279µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB017N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥112.521008 +10：￥101.594662 +100：￥84.116581 +500：￥73.247513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7
IPB017N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥112.521008 +10：￥101.594662 +100：￥84.116581 +500：￥73.247513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7

Mouser

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	IPB017N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥121.187038 +10：￥109.545228 +100：￥90.750016 +500：￥78.967943 +1000：￥74.199008	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 279µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPB017N10N5ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥96.686822 +10：￥86.859511 +25：￥86.008326 +50：￥85.144244 +100：￥70.003478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB017N10N5ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.7 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 279µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	210 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15600 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-7
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）