IRFS7734TRLPBF厂家价格_数据手册

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	IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥86.783904 +100：￥70.692768 +200：￥56.698848 +300：￥50.62392 +400：￥46.989936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.281013 +10：￥18.259468 +30：￥17.002832 +100：￥15.483942	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.224016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册未分类	+1600：￥10.15003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥18.545226 +1600：￥17.997784 +2400：￥17.458273 +3200：￥17.03518	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册未分类	+10：￥28.865074 +100：￥24.150701 +250：￥23.207759 +500：￥19.813505 +800：￥16.136369	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥31.39479 +500：￥30.871544 +1000：￥30.60992 +3000：￥30.086674	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+380：￥12.091625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥11.698264 +1600：￥9.925749 +2400：￥9.429451 +5600：￥9.074962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFS7734TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	183A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	270 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10150 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	290W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册未分类	+1600：￥10.15003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥18.545226 +1600：￥17.997784 +2400：￥17.458273 +3200：￥17.03518	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册未分类	+10：￥28.865074 +100：￥24.150701 +250：￥23.207759 +500：￥19.813505 +800：￥16.136369	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥31.39479 +500：￥30.871544 +1000：￥30.60992 +3000：￥30.086674	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7734TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+380：￥12.091625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 183A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）