IPP200N15N3GXKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+250：￥15.094992 +500：￥10.9384 +2500：￥9.84456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 50A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1820 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.026925	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 50A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1820 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

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	IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.849395 +10：￥18.718123 +100：￥15.33415 +500：￥13.106161	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 50A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1820 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

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	IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥51.003143 +10：￥45.789488 +100：￥37.511394 +500：￥32.061141	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 50A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1820 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥43.291392 +50：￥34.290211 +100：￥29.390998 +500：￥26.124854 +1000：￥22.369506	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 20mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 90µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 8V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1820 pF @ 75 V

Mouser

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	IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥37.823838 +10：￥33.747994 +25：￥30.16125 +100：￥26.737541 +250：￥26.574508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20mOhm 50A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1820 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

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	IPP200N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥26.345685 +10：￥24.586193 +25：￥22.468572 +100：￥21.503187 +500：￥20.101821	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP200N15N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20mOhm 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1820 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)