IRLS3813TRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLS3813TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 下载数据手册	+1：￥21.759059 +10：￥21.292263 +30：￥20.973993 +100：￥20.666332	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.95 毫欧 148A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263AB）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLS3813TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.609204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.95 毫欧 148A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263AB）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLS3813TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥10.146546 +1600：￥8.609191 +2400：￥8.486202 +5600：￥7.87126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.95 毫欧 148A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263AB）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLS3813TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥17.533198 +1600：￥14.876652 +2400：￥14.664128 +5600：￥13.60151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.95 毫欧 148A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263AB）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLS3813TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.3843 +10：￥28.159378 +25：￥26.565451 +100：￥20.721052 +250：￥20.189743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IRLS3813TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

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	IRLS3813TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.95 毫欧 148A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263AB）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLS3813TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.95 毫欧 148A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	83 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8020 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	195W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）