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	IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.557329 +10：￥27.704886 +30：￥23.087405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥24.681839 +200：￥9.557648 +500：￥9.221555 +1000：￥9.053508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.603273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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IRFI4227PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFI4227PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥10.451154 +1000：￥9.9152 +1100：￥9.64717 +1700：￥9.379247 +2400：￥9.021943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥33.430632 +10：￥21.292717 +50：￥17.178185 +100：￥16.149551 +500：￥14.297968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥10.542847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.86247 +10：￥16.932861 +100：￥13.873672 +500：￥11.8104 +1000：￥9.960523	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.1426 +10：￥41.422264 +100：￥33.938677 +500：￥28.891368 +1000：￥24.366077	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥50.788889 +10：￥45.61206 +100：￥37.357117 +500：￥31.760545 +1000：￥27.98286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4227PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+2000：￥14.800293 +10000：￥14.720333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFI4227PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	46W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFI4227PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFI4227PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥10.451154 +1000：￥9.9152 +1100：￥9.64717 +1700：￥9.379247 +2400：￥9.021943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥33.430632 +10：￥21.292717 +50：￥17.178185 +100：￥16.149551 +500：￥14.297968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRFI4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥10.542847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）