IPP600N25N3GXKSA1厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IPP600N25N3GXKSA1 共 6 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.247922 +10：￥19.210141 +50：￥17.418068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2350 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2350 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.099284 +10：￥23.453603 +100：￥19.218368 +500：￥16.426103	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2350 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.099475 +10：￥40.527748 +100：￥33.209276 +500：￥28.38425	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2350 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2350 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP600N25N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥34.744956 +1000：￥34.063398 +2000：￥33.715369 +2500：￥33.381839 +3000：￥33.048311	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP600N25N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60mOhm 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2350 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	136W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)