IPD22N08S2L50ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.041864 +10：￥8.694576 +30：￥7.24548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 31µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.286941 +10：￥15.93196 +30：￥15.079633	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 31µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.705401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 31µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 31µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.388541 +5000：￥7.036781 +12500：￥6.712024	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 31µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.859485 +10：￥14.616204 +100：￥11.367206 +500：￥9.634978 +1000：￥7.848601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
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Mouser

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	IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 31µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥7.021353 +10：￥5.649042 +50：￥4.972284 +100：￥4.370723 +200：￥4.173335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥2.989011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD22N08S2L50ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 31µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	630 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-11
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）