IPA60R280P7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA60R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.024687 +200：￥6.796762 +500：￥6.567289 +1000：￥6.458017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA60R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.257484	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA60R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥8.587494 +1000：￥8.37287 +1500：￥8.15813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA60R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA60R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.370922 +50：￥12.321273 +100：￥10.137592 +500：￥8.578273 +1000：￥7.278529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA60R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.560902 +50：￥21.29112 +100：￥17.517725 +500：￥14.823228 +1000：￥12.577273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPA60R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 下载数据手册未分类	+292：￥12.844004	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 280mOhm @ 3.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 190µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 761 pF @ 400 V

Mouser

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	IPA60R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥40.587435 +10：￥33.61147 +100：￥26.794049 +500：￥18.391182 +1000：￥15.188579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPA60R280P7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥15.844173 +1000：￥14.901541	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA60R280P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥20.396084 +10：￥17.985638 +50：￥15.946029 +100：￥14.369968 +200：￥14.27726	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA60R280P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	280 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	761 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	24W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）