搜索 IPB048N15N5ATMA1 共 16 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IPB048N15N5ATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥50.057824 +200: ¥19.37405 +500: ¥18.696559 +1000: ¥18.357814 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IPB048N15N5ATMA1 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IPB048N15N5ATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥121.446654 +10: ¥104.097132 +25: ¥100.469506 +100: ¥86.74761 +250: ¥85.64355 |
艾睿
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IPB048N15N5ATMA1 | +1000: ¥55.71374 | 暂无参数 | |||
IPB048N15N5ATMA1 | +1: ¥106.511166 +10: ¥95.549971 +25: ¥94.59294 +50: ¥93.623149 +100: ¥77.047373 | 暂无参数 |
IPB048N15N5ATMA1参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | OptiMOS™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 8V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.8 毫欧 60A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.6V 264µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 100 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7800 pF 75 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 300W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |