IRF6726MTRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRF6726MTRPBF 共 11 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6726MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥25.799284 +10：￥25.198285 +30：￥24.804903	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6140 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6726MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.844921	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6140 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6726MTRPBF International 授权代理品牌	IRF6726MTRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+289：￥10.118189 +1443：￥9.919769	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF6726MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1200：￥29.986884 +2400：￥28.490914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6140 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6726MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6140 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6726MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT
IRF6726MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT
IRF6726MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+199：￥18.815686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric MT Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.7mOhm @ 32A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 150µA Supplier Device Package： DIRECTFET™ MT Part Status： Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6140 pF @ 15 V
IRF6726MTRPBF International 授权代理品牌	IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册未分类	+199：￥18.815686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric MT Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.7mOhm @ 32A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 150µA Supplier Device Package： DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6140 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6726MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥44.201567 +10：￥37.072282 +25：￥35.01271 +100：￥29.942996 +250：￥28.358711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6140 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MT 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF6726MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	32A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.7 毫欧 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	77 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6140 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MT
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MT
温度:	-40°C # 150°C（TJ）