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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60R217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 58A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.678304 +100：￥7.069248 +200：￥5.669856 +300：￥5.06232 +500：￥4.699008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60R217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 58A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60R217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 58A 下载数据手册未分类	+2000：￥7.467625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF60R217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 58A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.578811	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF60R217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 58A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥9.640166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF60R217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 58A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.02827 +10：￥17.063663 +100：￥13.303728 +500：￥10.989691 +1000：￥9.640166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)
IRF60R217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 58A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60R217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 58A 下载数据手册未分类	+1：￥20.561393 +10：￥16.923608 +100：￥13.096027 +500：￥11.103153 +1000：￥9.047013	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60R217 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥7.861682	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF60R217参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.9 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	66 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2170 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-PAK（TO-252AA）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）