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	IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.92215 +30：￥2.816275 +100：￥2.604525 +500：￥2.392775 +1000：￥2.2869	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.975904 +100：￥8.548128 +300：￥6.535008 +500：￥5.601456 +1000：￥5.086224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥5.652288 +1000：￥4.79592 +4000：￥3.425616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.03172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.279364 +100：￥2.237921 +500：￥2.217199 +1000：￥2.186175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥3.083913 +300：￥2.906217 +1000：￥2.683027 +2000：￥2.462847 +4000：￥2.441432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.762281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7440TRPBF 授权代理品牌	IRFH7440TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.121984 +10：￥5.968947 +30：￥5.815908 +50：￥5.662871 +80：￥5.509832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.320069 +100：￥2.758621 +500：￥2.651772 +1000：￥2.523392 +3000：￥2.437958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.511583 +12000：￥2.469678 +20000：￥2.406934 +40000：￥2.365028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH7440TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.4 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	138 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4574 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	104W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.279364 +100：￥2.237921 +500：￥2.217199 +1000：￥2.186175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥3.083913 +300：￥2.906217 +1000：￥2.683027 +2000：￥2.462847 +4000：￥2.441432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.762281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7440TRPBF 授权代理品牌	IRFH7440TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.121984 +10：￥5.968947 +30：￥5.815908 +50：￥5.662871 +80：￥5.509832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.320069 +100：￥2.758621 +500：￥2.651772 +1000：￥2.523392 +3000：￥2.437958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7440TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.511583 +12000：￥2.469678 +20000：￥2.406934 +40000：￥2.365028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 138 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4574 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）