IPT65R105G7XTMA1厂家价格_数据手册

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	IPT65R105G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.198026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPT65R105G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥75.464378 +10：￥67.491159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPT65R105G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥21.798933 +10：￥20.620592 +50：￥18.460318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPT65R105G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPT65R105G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPT65R105G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.611952 +10：￥68.345056	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-2
IPT65R105G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.611952 +10：￥68.345056	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-2

Mouser

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	IPT65R105G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPT65R105G7XTMA1 授权代理品牌	IPT65R105G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+1：￥65.920292 +10：￥62.832272 +25：￥62.717429 +50：￥62.283575 +100：￥61.836961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPT65R105G7XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C7
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 8.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1670 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	156W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-2
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）