搜索 IRFP064NPBF 共 49 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFP064NPBF 授权代理品牌 | +125: ¥6.225708 | ||||
IRFP064NPBF 授权代理品牌 | +1: ¥13.244735 +300: ¥12.185161 +900: ¥11.655316 +2100: ¥11.125587 | 暂无参数 | |||
IRFP064NPBF 授权代理品牌 | +295: ¥9.092419 +1471: ¥8.914145 | 暂无参数 | |||
IRFP064NPBF 授权代理品牌 | +295: ¥9.62281 +1471: ¥9.434109 | 暂无参数 | |||
IRFP064NPBF 授权代理品牌 | +50: ¥13.980521 +200: ¥13.421273 +500: ¥13.085793 +3000: ¥12.862024 | 暂无参数 |
自营 国内现货
IRFP064NPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 110A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 8 毫欧 59A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 170 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4000 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 200W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247AC |
封装/外壳: | TO-247-3 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |