IPB180N10S402ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB180N10S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥72.77303 +10：￥48.515434 +30：￥40.429488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB180N10S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.208593 +200：￥11.301131 +500：￥10.912523 +1000：￥10.712968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB180N10S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.842806	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB180N10S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB180N10S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥22.036499 +2000：￥21.220343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPB180N10S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥53.907117 +2000：￥51.910583	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB180N10S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥94.998419 +10：￥85.854643 +100：￥71.077903 +500：￥61.893392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7-3
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Mouser

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	IPB180N10S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥102.878606 +10：￥92.93313 +100：￥76.955154 +500：￥67.009679 +1000：￥58.368528	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPB180N10S402ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	200 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	14600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-7-3
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）