IXTN30N100L厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN30N100L Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥1156.782657 +200：￥461.567885 +500：￥446.149507 +1000：￥438.522272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN30N100L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥408.487653 +10：￥388.060468 +100：￥349.76384	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 15A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 545 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN30N100L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥999.269036 +10：￥949.298729 +100：￥855.61503	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 15A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 545 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN30N100L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B 下载数据手册	+1：￥1156.435068 +10：￥1048.095878 +20：￥1011.982813 +50：￥975.706343 +100：￥939.593279	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 15A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 545 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN30N100L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥720.461669 +25：￥719.913791	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN30N100L Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥665.409445 +10：￥597.923318 +25：￥591.968658 +50：￥586.014 +100：￥520.701794	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTN30N100L参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Linear
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 15A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	545 nC 20 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	800W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）