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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR8314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.386384 +10：￥1.169324 +30：￥1.076389 +100：￥0.983348 +500：￥0.921392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4945 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR8314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.09894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4945 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR8314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥8.826516 +6000：￥8.385154 +10000：￥8.069929	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4945 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR8314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.818984 +10：￥18.602375 +100：￥14.501035 +500：￥11.978754 +1000：￥9.456964	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)
IRFR8314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.818984 +10：￥18.602375 +100：￥14.501035 +500：￥11.978754 +1000：￥9.456964	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)
IRFR8314TRPBF International 授权代理品牌	IRFR8314 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	+16：￥7.9602	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.2mOhm @ 90A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 100µA Supplier Device Package： D-PAK (TO-252AA) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4945 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR8314TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥26.469635 +10：￥23.666969 +100：￥18.528747 +500：￥15.243397 +1000：￥13.468374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4945 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR8314TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥7.666493	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFR8314TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	54 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4945 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-PAK（TO-252AA）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）