IXFN210N20P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IXFN210N20P 共 5 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B 下载数据手册未分类	+1：￥520.159106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 188A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥280.06452 +10：￥261.26442 +100：￥226.848273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 188A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥685.112025 +10：￥639.121998 +100：￥554.930984	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 188A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B 下载数据手册	+1：￥697.955409 +10：￥651.093703 +30：￥623.828711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 188A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N20P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥431.65372 +25：￥417.08041 +50：￥412.953455 +100：￥400.959491	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN210N20P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	188A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10.5 毫欧 105A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	255 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	18600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1070W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 175°C（TJ）