IPD90N04S4L04ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.501321 +200：￥3.751121 +500：￥3.0008 +1000：￥2.500707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.622235 +200：￥1.792072 +500：￥1.726509 +1000：￥1.693727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.66334	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.351321 +5000：￥3.191698 +12500：￥3.044399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.198219 +5000：￥7.807738 +12500：￥7.447405	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.859747 +10：￥16.216413 +100：￥12.613083 +500：￥10.690546 +1000：￥8.708571	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313
IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.859747 +10：￥16.216413 +100：￥12.613083 +500：￥10.690546 +1000：￥8.708571	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313

Mouser

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	IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥15.026231 +10：￥12.135316 +100：￥11.498335 +500：￥11.433002 +1000：￥10.159039	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥8.030311 +5000：￥7.790087	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2500：￥5.377838 +5000：￥5.281804 +7500：￥5.137755	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD90N04S4L04ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+20V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4690 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	71W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-313
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）