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自营 现货库存
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IRFD024PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥12.358742

+10:

¥10.752434

+30:

¥9.747125

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFD024PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFD024PBF
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IRFD024PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥12.341847

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¥11.086136

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¥8.910526

+500:

¥7.320725

+1000:

¥6.065803

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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IRFD024PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥21.32667

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¥19.156805

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¥15.39736

+500:

¥12.650188

+1000:

¥10.481687

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IRFD024PBF_晶体管
IRFD024PBF
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MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

晶体管

+1:

¥25.938988

+10:

¥20.40323

+100:

¥17.239938

+500:

¥14.503692

+1000:

¥11.688362

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IRFD024PBF_未分类
IRFD024PBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP

未分类

+2500:

¥11.916119

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IRFD024PBF_未分类
IRFD024PBF
授权代理品牌

MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024

未分类

+50:

¥9.354527

+100:

¥8.325529

+250:

¥7.577167

+500:

¥7.390076

+1000:

¥6.92235

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IRFD024PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: 4-HVMDIP
封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)
温度: -55°C # 175°C(TJ)