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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN140N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B 下载数据手册未分类	+1：￥315.081594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：盒封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN140N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥175.858965 +10：￥156.290591 +100：￥136.695949 +500：￥116.647277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：盒封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN140N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥430.197626 +10：￥382.328196 +100：￥334.394512 +500：￥285.350147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：盒封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN140N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B 下载数据手册	+1：￥466.310959 +10：￥414.240673 +20：￥400.476872 +50：￥394.341202 +100：￥362.336218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：盒封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN140N20P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+300：￥291.445959 +500：￥272.563109	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN140N20P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N型 SOT-227B 下载数据手册未分类	+1：￥227.545965 +5：￥215.15433 +10：￥202.749626 +50：￥199.873928 +100：￥199.02429	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN140N20P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥402.138125	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFN140N20P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥313.515269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN140N20P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N, SOT-227B 下载数据手册未分类	+1：￥246.959977 +5：￥233.50231 +10：￥220.032218 +50：￥216.925648 +100：￥204.872152	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFN140N20P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 200V, 140A, ISOTOP 下载数据手册未分类	+1：￥250.563599 +2：￥245.332135 +3：￥240.100667 +5：￥234.869201 +10：￥229.637736	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN140N20P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	盒
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	240 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	680W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 175°C（TJ）