IXFB100N50P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	IXFB100N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 49 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1890W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS264™ 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -
	IXFB100N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+250：￥229.58321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 49 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1890W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS264™ 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

自营国内现货

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	IXFB100N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥217.726345 +10：￥200.805898 +100：￥171.475049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 49 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1890W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS264™ 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFB100N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥376.230397 +10：￥346.991921 +100：￥296.308312	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 49 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1890W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS264™ 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

Mouser

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	IXFB100N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 下载数据手册未分类	+1：￥499.710745 +10：￥460.751845	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 49 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1890W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS264™ 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFB100N50P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264 下载数据手册未分类	+300：￥290.300609 +500：￥287.521283 +1000：￥284.880922 +2000：￥282.101596 +2500：￥279.322271	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFB100N50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	49 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	240 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	20000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1890W（Tc）
工作温度:	-
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PLUS264™
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-